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深入理解下面的結論對于結構設計是十分重要的。
1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際的金屬材料不可能兼顧這兩個(gè)方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據具體屏蔽主要依賴(lài)反射損耗、還是吸收損耗來(lái)決定是側重導電性還是導磁性；
2）頻率較低的時(shí)候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
3）反射損耗與輻射源的特性有關(guān)，對于電場(chǎng)輻射源，反射損耗很大；對于磁場(chǎng)輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場(chǎng)輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對于電場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越；正確判斷輻射源的性質(zhì)，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個(gè)重要內容。
5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時(shí)與輻射源是電場(chǎng)輻射源還是磁場(chǎng)輻射源關(guān)系不大。
6）電場(chǎng)波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場(chǎng)波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，很難屏蔽。對于低頻磁場(chǎng)，要采用高導磁性材料屏蔽，影響屏蔽材料的各種因素甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來(lái)的材料。
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在電子設備及電子產(chǎn)品中，電磁干擾（Electromagnetic Interference）能量通過(guò)傳導性耦合和輻射性耦合來(lái)進(jìn)行傳輸。為滿(mǎn)足電磁兼容性要求，對傳導性耦合需采用濾波技術(shù)，即采用EMI濾波器件加以抑制；對輻射性耦合則需采用屏蔽技術(shù)加以抑制。在當前電磁頻譜日趨密集、單位體積內電磁功率密度急劇增加、高低電平器件或設備大量混合使用等因素而導致設備及系統電磁環(huán)境日益惡化的情況下，其重要性就顯得更為突出。
屏蔽是通過(guò)由金屬制成的殼、盒、板等屏蔽體，將電磁波局限于某一區域內的一種方法。由于輻射源分為近區的電場(chǎng)源、磁場(chǎng)源和遠區的平面波，因此屏蔽體的屏蔽性能依據輻射源的不同，在材料選擇、結構形狀和對孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設計中要達到所需的屏蔽性能，則需首先確定輻射源，明確頻率范圍，再根據各個(gè)頻段的典型泄漏結構，確定控制要素，進(jìn)而選擇恰當的屏蔽材料，設計屏蔽殼體。
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