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　　1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際的金屬材料不可能兼顧這兩個(gè)方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據具體屏蔽主要依賴(lài)反射損耗、還是吸收損耗來(lái)決定是側重導電性還是導磁性；

　　2）頻率較低的時(shí)候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；

　　3）反射損耗與輻射源的特性有關(guān)，對于電場(chǎng)輻射源，反射損耗很大；對于磁場(chǎng)輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場(chǎng)輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。

　　4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對于電場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越??；正確判斷輻射源的性質(zhì)，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個(gè)重要內容。

　　5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時(shí)與輻射源是電場(chǎng)輻射源還是磁場(chǎng)輻射源關(guān)系不大。

　　6）電場(chǎng)波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場(chǎng)波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，很難屏蔽。對于低頻磁場(chǎng)，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來(lái)的材料。